企业简介
昆山智集材料科技有限公司 main business:许可经营项目：无 一般经营项目：从事纳米材料的研发以及技术转让、技术服务、技术咨询。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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昆山智集材料科技有限公司的工商信息
- 320583000437745
- 注销
- 2012年03月23日
- 有限责任公司
- 2011年03月23日
- 陶昕
- 100万元人民币
- 2011年03月23日 至 2041年03月22日
- 昆山市市场监督管理局
- 2012年03月23日
- 昆山市花桥镇兆丰路8号
- 许可经营项目：无 一般经营项目：从事纳米材料的研发以及技术转让、技术服务、技术咨询。
昆山智集材料科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102775145A | 一种致密氧化镝陶瓷的制备方法 | 2012.11.14 | 木发明是选用一种更好的添加助剂以及稀上元素来制备致密的陶瓷的技术，通过选用添加烧结助剂以及氧化镝来提 |
| 2 | CN102775152A | 微量氧化铒稳定钐氮化硅的生产方法 | 2012.11.14 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化铒氧化钐作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4 |
| 3 | CN102775149A | 氮化硅添加氧化镨的复合陶瓷制备方法 | 2012.11.14 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化镨(Pr2O3)作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(S |
| 4 | CN102775150A | 稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺 | 2012.11.14 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4 |
| 5 | CN102775153A | 铒钕掺杂纳米氮化硅陶瓷材料的制备方法 | 2012.11.14 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化铒氧化钕作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4 |
| 6 | CN102775151A | 一种无压掺铒镧的氮化硅生产工艺 | 2012.11.14 | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4 |
| 7 | CN102757521A | 一种醋丙乳液制备方法 | 2012.10.31 | 本发明采用半连续种子乳液聚合工艺以增大乳液的粒径，制备大粒径的醋丙乳液。采用种子乳液聚合法可以有效的 |
| 8 | CN102755895A | 一种光催化纳米氧化锌光催化剂的制备方法 | 2012.10.31 | 本发明的目的在于克服现有光催化性能的不足，特别是针对可见光区几乎没有光催化活性提供一种铁掺杂氧化锌纳 |
| 9 | CN102755856A | 一种高比例混合油尼纳尔的生产方法 | 2012.10.31 | 本发明是有一种制造洗涤剂的原材料方法，所涉及的高比例混合油尼纳尔，组分及质量百分比含量为：椰子油45 |
| 10 | CN102757053A | 一种单分散纳米二氧化硅的化学沉淀法生产工艺 | 2012.10.31 | 本发明采用化学沉淀法，结合表面活性剂的高度分散作用，在前期文献的基础上，第一次尝试以正硅酸乙酯为原料 |
| 11 | CN102755843A | 一种煤基平板复合炭膜的旋转涂膜制备工艺 | 2012.10.31 | 本发明涉及一种膜材料技术领域，具体是一种煤基平板复合炭膜的旋转涂膜制备工艺。本发明的目的在于选用廉价 |
| 12 | CN102757093A | 一种球型微粒纳米二氧化锆的制备方法 | 2012.10.31 | 本发明涉及一种先进纳米材料技术领域，具体是一种球形纳米二氧化锆的制备方法。目的在于采用以氧氯化锆为原 |
| 13 | CN102757082A | 一种纳米氢氧化铜的均匀沉淀法制备工艺 | 2012.10.31 | 本发明涉及一种金属氧化物半导体技术领域，具体是一种纳米氢氧化铜的均匀沉淀法制备工艺。本发明具有如下的 |
| 14 | CN102757054A | 一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺 | 2012.10.31 | 本发明以有机硅烷为氧化硅源，首次尝试采用阴离子表面活性剂作为模板剂，在酸的存在下制备介孔二氧化硅纳米 |
| 15 | CN102757084A | 一种超两维纳米结构氧化锌的生产工艺 | 2012.10.31 | 本发明的目的是在现有技术的基础上，提供一种超两维纳米结构氧化锌的生产工艺，本发明生产方法简单，成本低 |
| 16 | CN102755899A | 一种碳酸氢铵二氧化钛薄膜的制备方法 | 2012.10.31 | 本发明涉及金属氧化物半导体薄膜技术领域，具体是一种具有光催化活性的碳酸氢铵掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 |
| 17 | CN102755889A | 复合氧化锌光催化剂的制备方法 | 2012.10.31 | 本发明的目的在于克服纳米Ag的性质比较活泼，提供一种共沉淀法在室温条件下制备了混合金属草酸盐，并以此 |
| 18 | CN102757576A | 一种制备pH敏感膜的生产方法 | 2012.10.31 | 本发明涉及一种环境与膜材料技术领域，具体是一种pH敏感膜两步光接枝法生产工艺。目的是在现有技术的基础 |
| 19 | CN102755893A | 一种溶胶-凝胶法制备镍掺杂纳米二氧化钛 | 2012.10.31 | 本发明涉及半导体纳米材料环境友好技术领域，具体是一种具有较高光催化活性的镍掺杂纳米二氧化钛的溶胶-凝 |
| 20 | CN102757366A | 一种具有高活性氧含量的过氧化尿素微波法制备方法 | 2012.10.31 | 本发明涉及无机化学过氧化物材料制备技术领域，具体是一种具有高活性氧含量的过氧化尿素微波法制备方法。本 |
| 21 | CN102757085A | 一种溶胶凝胶法制备纳米氧化锌的工艺 | 2012.10.31 | 本发明的目的在于克服现有方法原料成本高，干燥、煅烧时凝胶体积收缩大，易造成纳米氧化锌颗粒间的团聚等缺 |
| 22 | CN102757087A | 一种纳米水溶性CdS颗粒的制备工艺 | 2012.10.31 | 本发明涉及一种纳米材料与半导体技术领域，具体是一种水溶性CdS纳米颗粒的制备方法。本发明的目的在于采 |
| 23 | CN102755900A | 一种硫掺杂二氧化钛的制备方法 | 2012.10.31 | 本发明涉及金属氧化物半导体环境净化技术领域，具体是一种具有可见光光催化活性的硫掺杂二氧化钛晶粒的制备 |
| 24 | CN102758211A | 一种二氧化锆超细粉体电化学法制备方法 | 2012.10.31 | 本发明涉及超细粉体氧化物陶瓷材料制备技术领域，具体是一种二氧化锆超细粉体电化学法制备方法。本发明是在 |
| 25 | CN102757083A | 一种乳化超声法制备纳米氧化锌工艺 | 2012.10.31 | 本发明乳化超声法制备纳米氧化锌工艺所得到的氧化锌粉体具有粒度小，几乎无晶体缺陷的特性；同时，本发明所 |
| 26 | CN102757055A | 一种疏水性介孔二氧化硅膜的溶胶-凝胶制备方法 | 2012.10.31 | 本发明的目的在于克服现有方法疏水改性效果差，高温处理时易造成介孔结构破坏等缺点，提供一种制备疏水性介 |
| 27 | CN102757098A | 一种纳米四氧化三铁的溶胶法生产工艺 | 2012.10.31 | 本发明以氯化亚铁、氯化铁、氨水及油酸为主要原料，合成纳米四氧化三铁并用油酸进行改性，提供一种纳米四氧 |
| 28 | CN102757088A | 一种纳米钛酸钡粉体微乳液法生产工艺 | 2012.10.31 | 本发明涉及无机纳米材料合成领域，具体是一种纳米钛酸钡粉体微乳液法生产工艺。本发明的目的是在现有技术的 |
| 29 | CN102755890A | 合成三乙氧基硅烷的催化剂制备方法 | 2012.10.31 | 本发明的目的以应对氯化亚铜为催化剂的一个重要的缺陷一产物中有部分的酸性。考察了作为合成三乙氧基硅烷的 |
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